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N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 2 – SEPT 93
FEATURES
* 200 Volt V DS
* R DS(on) =23 ?
BS107P
REFER TO BS107PT FOR GRAPHS
D
G
S
E-Line
TO92 Compatible
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate-Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
200
0.12
2
± 20
500
-55 to +150
UNIT
V
A
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C)
PARAMETER
Drain-Source
Breakdown Voltage
Gate Body Leakage
Drain Cut-Off Current
Drain Cut-Off Current
Static Drain-Source
on-State Resistance
SYMBOL
BV DSS
I GSS
I DSS
I DSX
R DS(on)
MIN.
200
TYP.
230
15
MAX.
10
30
1
23
30
UNIT
V
nA
nA
μ A
?
?
CONDITIONS.
I D =100 μ A, V GS =0V
VGS=15V, V DS =0V
V GS =0V, V DS =130V
V GS =0.2V, V DS =70V
V GS =2.6V, I D =25mA*
V GS =5V, I D =100mA*
* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2%
3-23
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